BLP7G22-10Z
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLP7G22-10Z中文资料参数规格
技术参数
频率 2.14 GHz
漏源极电压Vds 65 V
输出功率 2 W
增益 16 dB
测试电流 110 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 28 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 VDFN-12
外形尺寸
封装 VDFN-12
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLP7G22-10Z引脚图与封装图
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在线购买BLP7G22-10Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLP7G22-10Z | Ampleon USA | RF Power Transistor, 0.7 to 2.2GHz, 10W, 27dB, 28V, LDMOS, SOT1179-1 | 搜索库存 |
替代型号BLP7G22-10Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLP7G22-10Z 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 0.7 to 2.2GHz, 10W, 27dB, 28V, LDMOS, SOT1179-1 | 当前型号 |
| 型号： BLP25M710Z 品牌： Ampleon USA 封装： | 类似代替 | RF Power Transistor, HF to 2500MHz, 10W, 16dB, 28V, Plastic Package | BLP7G22-10Z和BLP25M710Z的区别 |