BLF8G10LS-160,118
数据手册.pdf
Ampleon USA
分立器件
BLF8G10LS-160,118中文资料参数规格
技术参数
频率 920MHz ~ 960MHz
输出功率 35 W
增益 19.7 dB
测试电流 1.1 A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 30 V
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF8G10LS-160,118引脚图与封装图
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在线购买BLF8G10LS-160,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA | RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B | 搜索库存 |
替代型号BLF8G10LS-160,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF8G10LS-160,118 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B | 当前型号 |
| 型号： BLF8G10LS-160,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B | BLF8G10LS-160,118和BLF8G10LS-160,112的区别 |