BCW69,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCW69,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW69,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCW69,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW69,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO23-6AB PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC857ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BCW69,215和BC857ALT1G的区别 |
| 型号： BCW70LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCW70LT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFE | BCW69,215和BCW70LT1G的区别 |
| 型号： BC857AMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -45V -100mA 310mW | 功能相似 | PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BCW69,215和BC857AMTF的区别 |