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BLF9G20LS-160VU

BLF9G20LS-160VU

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 160W, 19.8dB, 28V, SOT1120B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 19.8dB 35.5W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 1.8 to 2.0 GHz, 160 W, 19.8 dB, 28 V, SOT1120B, LDMOS


BLF9G20LS-160VU中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 35.5 W

增益 19.8 dB

测试电流 800 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

封装 SOT-1120

外形尺寸

封装 SOT-1120

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF9G20LS-160VU引脚图与封装图
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在线购买BLF9G20LS-160VU
型号 制造商 描述 购买
BLF9G20LS-160VU Ampleon USA RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 160W, 19.8dB, 28V, SOT1120B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF9G20LS-160VU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF9G20LS-160VU

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 160W, 19.8dB, 28V, SOT1120B, LDMOS

当前型号

型号: BLF9G20LS-160VJ

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 160W, 19.8dB, 28V, SOT1120B, LDMOS

BLF9G20LS-160VU和BLF9G20LS-160VJ的区别