BLL8H0514-25U

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.50 to 1.4GHz, 25W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT467C

RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz 21dB 25W SOT467C

得捷:
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C

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BLL8H0514-25U

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Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin LDMOST Bulk

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RF Power Transistor, 0.50 to 1.4 GHz, 25 W, 21 dB, 50 V, LDMOS, SOT467C

BLL8H0514-25U中文资料参数规格

技术参数

频率 1.2 GHz

上升时间 20 ns

输出功率 25 W

增益 21 dB

测试电流 50 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT467C

外形尺寸

封装 SOT467C

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLL8H0514-25U引脚图与封装图

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BLL8H0514-25U	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0.50 to 1.4GHz, 25W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT467C	搜索库存