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BLF881,112

BLF881,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.005 to 0.86GHz, 140W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT-467C

RF Mosfet LDMOS 50V 500mA 860MHz 21dB 140W SOT467C


得捷:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 3-Pin LDMOST Bulk


富昌:
BLF881 系列 1000 MHz 140 W 21 dB 特高频 功率 LDMOS 晶体管 - SOT467


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 0.86 GHz, 140 W, 21 dB, 50 V, LDMOS, SOT-467C


BLF881,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 140 W

增益 21 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 100pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF881,112引脚图与封装图
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在线购买BLF881,112
型号 制造商 描述 购买
BLF881,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.005 to 0.86GHz, 140W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT-467C 搜索库存