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BZT52C4V3S RR

BZT52C4V3S RR

数据手册.pdf
Taiwan Semiconductor 台湾半导体 分立器件

200mW,BZT52C...S 系列,Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

齐纳 200mW,BZT52C...S 系列,

齐纳电压容差为 5%

表面安装外壳:SOD-323F


欧时:
Taiwan Semiconductor BZT52C4V3S RR 单路 齐纳二极管, 4.3V 5% 200 mW, 2引脚 SOD-323F封装


艾睿:
Diode Zener Single 4.3V 5% 200mW 2-Pin SOD-323F T/R


Allied Electronics:
Zener Diode 4.3V 5% 200mW SOD323F


BZT52C4V3S RR中文资料参数规格
技术参数

测试电流 5 mA

稳压值 4.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BZT52C4V3S RR引脚图与封装图
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BZT52C4V3S RR Taiwan Semiconductor 台湾半导体 200mW,BZT52C...S 系列,Taiwan Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor 搜索库存