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BF1108,215

BF1108,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 3V 0.01A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R

This RF amplifier from Semiconductors works in radio frequency environments and can be used to amplify and switch between electronic signals. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel RF power MOSFET operates in depletion mode. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BF1108,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF1108,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BF1108,215 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 3V 0.01A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R 搜索库存