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BLF6G38-10G,118

BLF6G38-10G,118

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3Pin CDFM T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 14dB 2W CDFM2


得捷:
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3-Pin CDFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 3.4 to 3.6 GHz, 10 W, 14 dB, 28 V, LDMOS, SOT-975C


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C


BLF6G38-10G,118中文资料参数规格
技术参数

频率 3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流 3.1 A

输出功率 2 W

增益 14 dB

测试电流 130 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-975

外形尺寸

封装 SOT-975

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF6G38-10G,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF6G38-10G,118
型号 制造商 描述 购买
BLF6G38-10G,118 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3Pin CDFM T/R 搜索库存
替代型号BLF6G38-10G,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF6G38-10G,118

品牌: Ampleon USA

封装: SOT-975C

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3Pin CDFM T/R

当前型号

型号: BLF6G38-10G,112

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 3.4 to 3.6GHz, 10W, 14dB, 28V, LDMOS, SOT-975C

BLF6G38-10G,118和BLF6G38-10G,112的区别

型号: BLF6G38-10,118

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF FET LDMOS 65V 14dB SOT975B

BLF6G38-10G,118和BLF6G38-10,118的区别