BLP8G10S-45PY

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 700-1000MHz, 45W, 20.8dB, 28V, LDMOS, SOT1223-1

RF Mosfet LDMOS（双），共源 28 V 224 mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOPF

得捷:
RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP-F T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 700-1000 MHz, 45 W, 20.8 dB, 28 V, LDMOS, SOT1223-1

BLP8G10S-45PY中文资料参数规格

技术参数

频率 952.5MHz ~ 957.5MHz

输出功率 2.5 W

增益 20.8 dB

测试电流 224 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-1223-1

外形尺寸

封装 SOT-1223-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP8G10S-45PY引脚图与封装图

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BLP8G10S-45PY	Ampleon USA	RF Power Transistor, 700-1000MHz, 45W, 20.8dB, 28V, LDMOS, SOT1223-1	搜索库存