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BLF8G27LS-140,118

BLF8G27LS-140,118

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502B

RF Mosfet LDMOS 32V 1.3A 2.62GHz ~ 2.69GHz 17.4dB 45W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 17.4 dB, 140 W, 32 V, LDMOS, SOT502B


BLF8G27LS-140,118中文资料参数规格
技术参数

频率 2.62GHz ~ 2.69GHz

输出功率 45 W

增益 17.4 dB

测试电流 1.3 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G27LS-140,118引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF8G27LS-140,118 Ampleon USA RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502B 搜索库存
替代型号BLF8G27LS-140,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G27LS-140,118

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502B

当前型号

型号: BLF8G27LS-140,112

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502B

BLF8G27LS-140,118和BLF8G27LS-140,112的区别