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BLF8G27LS-100V,118

BLF8G27LS-100V,118

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W CDFM6


得捷:
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R


富昌:
晶体管 RF 功率 100W ACC-6L


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 100 W, 17 dB, 28 V, SOT1244B, LDMOS


BLF8G27LS-100V,118中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

输出功率 25 W

增益 17 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G27LS-100V,118引脚图与封装图
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在线购买BLF8G27LS-100V,118
型号 制造商 描述 购买
BLF8G27LS-100V,118 Ampleon USA RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF8G27LS-100V,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G27LS-100V,118

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS

当前型号

型号: BLF8G27LS-100V,112

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS

BLF8G27LS-100V,118和BLF8G27LS-100V,112的区别