BFG 193 E6433

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223

RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount PG-SOT223-4

得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT223-4

Win Source:
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223

BFG 193 E6433中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 80.0 mA

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10.5dB ~ 16dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 600 mW

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BFG 193 E6433引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BFG 193 E6433

型号	制造商	描述	购买
BFG 193 E6433	Infineon 英飞凌	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223	搜索库存