BFG 19S E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFG 19S E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 5500 MHz
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 14dB ~ 8.5dB
最小电流放大倍数hFE 70 @70mA, 8V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BFG 19S E6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG 19S E6327 | Infineon 英飞凌 | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 | 搜索库存 |