BFP 640FESD E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP 640FESD E6327中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 4.7 V
最小电流放大倍数hFE 110 @30mA, 3V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-4
外形尺寸
封装 SMD-4
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFP 640FESD E6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP 640FESD E6327 | Infineon 英飞凌 | TRANS RF NPN 46GHz 4.7V TSFP-4-1 | 搜索库存 |