频率 150 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC858BMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC858BMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -30V -100mA 310mW | 当前型号 | PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: BC859BMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -30V -100mA 0.31W | 完全替代 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | BC858BMTF和BC859BMTF的区别 | |
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