BFP193WE6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343

RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT343-4

得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

BFP193WE6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 13.5dB ~ 20.5dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFP193WE6327HTSA1引脚图与封装图

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