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BFP196WE6327HTSA1

BFP196WE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

RF Transistor NPN 12V 150mA 7.5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT343-4


得捷:
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4


Win Source:
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343


BFP196WE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12.5dB ~ 19dB

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 8V

额定功率Max 700 mW

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFP196WE6327HTSA1引脚图与封装图
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BFP196WE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R 搜索库存