BGB 540 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4

得捷:
RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

BGB 540 E6327中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3.5 V

增益 16dB ~ 17.5dB

额定功率Max 120 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BGB 540 E6327引脚图与封装图

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