频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
高度 0.47 mm
封装 SOT-883
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BC847CM,315 | NXP 恩智浦 | DFN NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BC847CM,315 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-101 NPN 250mW | 当前型号 | DFN NPN 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC847C,215 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | Nexperia BC847C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BC847CM,315和BC847C,215的区别 | |
型号: BC847CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CM,315和BC847CLT1G的区别 | |
型号: BC847ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CM,315和BC847ALT1G的区别 |