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BC847CM,315

BC847CM,315

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC847CM,315中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SOT-883

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC847CM,315引脚图与封装图
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在线购买BC847CM,315
型号 制造商 描述 购买
BC847CM,315 NXP 恩智浦 DFN NPN 45V 0.1A 搜索库存
替代型号BC847CM,315
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847CM,315

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-101 NPN 250mW

当前型号

DFN NPN 45V 0.1A

当前型号

型号: BC847C,215

品牌: 安世

封装:

类似代替

Nexperia BC847C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

BC847CM,315和BC847C,215的区别

型号: BC847CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC847CM,315和BC847CLT1G的区别

型号: BC847ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC847CM,315和BC847ALT1G的区别