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BLW96/01,112

BLW96/01,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

Trans RF BJT NPN 55V 12A 340000mW 4Pin CRFM Blister

RF Transistor NPN 55V 12A 235MHz 340W Surface Mount CRFM4


得捷:
RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4


艾睿:
Trans RF BJT NPN 55V 12A 4-Pin CRFM Bulk


BLW96/01,112中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 340000 mW

输出功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 55 V

最小电流放大倍数hFE 15 @7A, 5V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-121

外形尺寸

封装 SOT-121

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLW96/01,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLW96/01,112 Ampleon USA Trans RF BJT NPN 55V 12A 340000mW 4Pin CRFM Blister 搜索库存