BFP 420F E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP 420F E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.50 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 160 mW
增益频宽积 25000 MHz
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 19.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 4V
最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 4V
额定功率Max 160 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-4
外形尺寸
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.55 mm
封装 SMD-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFP 420F E6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP 420F E6327 | Infineon 英飞凌 | RF Bipolar Transistors GP BJT NPN 4.5V 0.035A | 搜索库存 |