BLS3135-20,114
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BLS3135-20,114中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 75 V
增益 8 dB
最小电流放大倍数hFE 40 @1.5A, 5V
额定功率Max 80 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-422
外形尺寸
封装 SOT-422
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLS3135-20,114引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLS3135-20,114 | NXP 恩智浦 | TRANSISTOR RF POWER SOT422A | 搜索库存 |