BFR 949L3 E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 10.0 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 21.5 dB
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 100 @5mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TSLP-3
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.45 mm
封装 PG-TSLP-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BFR 949L3 E6327 | Infineon 英飞凌 | RF Bipolar Transistors NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA | 搜索库存 |