BLS3135-10,114
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 75 V
增益 9 dB
最小电流放大倍数hFE 40 @250mA, 5V
额定功率Max 34 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-445
封装 SOT-445
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BLS3135-10,114 | NXP 恩智浦 | Trans GP BJT NPN 75V 3Pin SOT-445C Blister | 搜索库存 |