BAV102,135
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BAV102,135中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.25V @200mA
反向恢复时间 50 ns
工作结温 175℃ Max
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAV102,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BAV102,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAV102,135 | NXP 恩智浦 | DIODE SW G-P 200V 250mA SOD80C | 搜索库存 |
替代型号BAV102,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAV102,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： DO-213AC | 当前型号 | DIODE SW G-P 200V 250mA SOD80C | 当前型号 |
| 型号： BAV102T/R 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | Single general-purpose switching diodes - Cd max.: 5pF; Configuration: single ; IF max: 250mA; IFSM max: 9A; IR max: 100@VR=150V nA; IFRM: 625mA; t | BAV102,135和BAV102T/R的区别 |
| 型号： BAV102,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C | 类似代替 | NXP BAV102,115 二极管 小信号, 单, 200 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A | BAV102,135和BAV102,115的区别 |