额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 38 @7mA, 10V
额定功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2013/06/20
ECCN代码 ECL99
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号: BF199 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 25V 50mA | 当前型号 | NPN晶体管RF NPN RF Transistor | 当前型号 |
| 型号: BFS20 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 20V 0.025A 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | BF199和BFS20的区别 |
| 型号: BFT92W,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 PNP 300mW | 功能相似 | NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | BF199和BFT92W,115的区别 |
| 型号: BFT92,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP 300mW | 功能相似 | NXP BFT92,215 射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷 | BF199和BFT92,215的区别 |
