BFG424W,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFG424W,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 135 mW
击穿电压集电极-发射极 4.5 V
增益 22 dB
集电极最大允许电流 0.03A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 2V
额定功率Max 135 mW
耗散功率Max 135 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFG424W,115引脚图与封装图
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在线购买BFG424W,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG424W,115 | NXP 恩智浦 | CMPAK NPN 4.5V 0.03A | 搜索库存 |
替代型号BFG424W,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFG424W,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-82A NPN 135mW | 当前型号 | CMPAK NPN 4.5V 0.03A | 当前型号 |
| 型号： BFU630F,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-343F NPN 200mW | 类似代替 | 晶体管 双极-射频, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, 90 hFE | BFG424W,115和BFU630F,115的区别 |