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BFG67/X,215

BFG67/X,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

射频双极,Nexperia


得捷:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B


欧时:
NXP BFG67/X,215 , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=10 V, HFE:60, 8000 MHz, 4引脚 SC-61B封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 380mW 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 10V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 10V 8GHZ SOT143R


BFG67/X,215中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 60 @15mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 380 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFG67/X,215引脚图与封装图
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在线购买BFG67/X,215
型号 制造商 描述 购买
BFG67/X,215 NXP 恩智浦 NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号BFG67/X,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFG67/X,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-253-4 380mW

当前型号

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BFR93AW

品牌: 英飞凌

封装: SOT-323/SC-70 NPN

功能相似

BFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器,混频器和振荡器

BFG67/X,215和BFR93AW的区别

型号: MMBT918

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

t-Npn Si- Vhf

BFG67/X,215和MMBT918的区别

型号: 2N918

品牌:

封装:

功能相似

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-72, 4 PIN

BFG67/X,215和2N918的区别