BC546B-AP中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC546B-AP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC546B-AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC546B-AP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-226-3 NPN 625mW | 当前型号 | TO-92 NPN 65V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC546-AP 品牌： 美微科 封装： TO-92 | 完全替代 | Trans Npn 65V 0.1A To-92 | BC546B-AP和BC546-AP的区别 |
| 型号： BC546BRL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 65V 100mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC546BRL1G 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 1.5 W, 100 mA, 200 hFE | BC546B-AP和BC546BRL1G的区别 |
| 型号： BC546BZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 65V 100mA 0.625W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC546BZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE | BC546B-AP和BC546BZL1G的区别 |