频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847CTT1G | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847CTT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-74 NPN 45V 100mA 300mW | 当前型号 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC847CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CTT1G和BC847CLT1G的区别 |
| 型号： BC847ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CTT1G和BC847ALT1G的区别 |
| 型号： BC847BTT1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847BTT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE | BC847CTT1G和BC847BTT1G的区别 |
