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BCR555E6433HTMA1

BCR555E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCR555E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装

双电阻器数字，

Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3


立创商城:
1个PNP-预偏置 500mA 50V


欧时:
Infineon BCR555E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCR555E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 150 MHz

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR555E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BCR555E6433HTMA1
型号 制造商 描述 购买
BCR555E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCR555E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BCR555E6433HTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BCR555E6433HTMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 PNP -50V -500mA 330mW

当前型号

Infineon BCR555E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号： BCR555E6327HTSA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 PNP -50V -500mA 330mW

完全替代

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

BCR555E6433HTMA1和BCR555E6327HTSA1的区别

型号： PDTB123YK,115

品牌： 恩智浦

封装： TO-236 PNP

功能相似

MPAK PNP 50V 500mA

BCR555E6433HTMA1和PDTB123YK,115的区别