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BFG10,215
NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R

RF NPN 8V 250mA 1.9GHz 400mW 表面贴装型 SOT-143B


得捷:
RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B


贸泽:
RF Bipolar Transistors Single NPN 8V 250mA 400mW 25


艾睿:
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143


BFG10,215中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.4 W

输出功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 8 V

增益 7 dB

最小电流放大倍数hFE 25 @50mA, 5V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFG10,215引脚图与封装图
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在线购买BFG10,215
型号 制造商 描述 购买
BFG10,215 NXP 恩智浦 Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R 搜索库存