BAS85-GS08中文资料参数规格
技术参数
额定电流 200 A
负载电流 200 mA
针脚数 2
正向电压 0.8 V
耗散功率 200 mW
反向恢复时间 5 ns
测试电流 200 mA
正向电流 200 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA
正向电压Max 800 mV
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 125℃ Max
工作结温Max 125 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BAS85-GS08引脚图与封装图 
BAS85-GS08引脚图
在线购买BAS85-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS85-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BAS85-GS08 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C | 搜索库存 |
替代型号BAS85-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS85-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD-80 200A | 当前型号 | VISHAY BAS85-GS08 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C | 当前型号 |
| 型号： BAS85,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C 800mV | 功能相似 | NXP BAS85,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C | BAS85-GS08和BAS85,115的区别 |
| 型号： BAS85,135 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | DIODE SCHOTTKY 30V 200mA LLDS | BAS85-GS08和BAS85,135的区别 |