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BCV47E6327HTSA1

BCV47E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

复合,


得捷:
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT23


欧时:
Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-23


BCV47E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 170 MHz

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For general AF applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCV47E6327HTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCV47E6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCV47E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号BCV47E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV47E6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 60V 500mA 360mW

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: BCV47E6433HTMA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 60V 500mA 360mW

完全替代

SOT-23 NPN 60V 0.5A

BCV47E6327HTSA1和BCV47E6433HTMA1的区别

型号: BCV47E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 60V 500mA

类似代替

SOT-23 NPN 60V 0.5A

BCV47E6327HTSA1和BCV47E6327的区别

型号: BCV47E6433

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 60V 500mA

类似代替

Infineon### 双极晶体管,Infineon

BCV47E6327HTSA1和BCV47E6433的区别