锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSS64
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

BSS64 三极管NPN 120V 0.2A 60MHZ SOT23 代码 U3

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 200MA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 60MHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 20 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2V 耗散功率PcPower Dissipation | 350MW/0.35W Description & Applications | NPN General Purpose Amplifier. 描述与应用 | NPN通用放大器。


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS NPN 80V 0.2A SOT-23


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V SOT-23


BSS64中文资料参数规格
技术参数

频率 60 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -200 mA

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSS64引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSS64
型号 制造商 描述 购买
BSS64 Fairchild 飞兆/仙童 BSS64 三极管NPN 120V 0.2A 60MHZ SOT23 代码 U3 搜索库存
替代型号BSS64
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS64

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 -80V -200mA 350mW

当前型号

BSS64 三极管NPN 120V 0.2A 60MHZ SOT23 代码 U3

当前型号

型号: MMBT6429LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE

BSS64和MMBT6429LT1G的区别

型号: BSS64LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新

BSS64和BSS64LT1G的区别