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BFR 193L3 E6327

BFR 193L3 E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BFR 193L3 E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

额定功率 0.58 W

输入电容 2.25 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12.5dB ~ 19dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

最大电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PG-TSLP-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 PG-TSLP-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFR 193L3 E6327引脚图与封装图
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BFR 193L3 E6327 Infineon 英飞凌 射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR 搜索库存