BFG410W,135

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF NPN 4.5V 12mA 22GHz 54mW 表面贴装型 CMPAK-4

得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.012A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

BFG410W,135中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 54 mW

击穿电压集电极-发射极 4.5 V

增益 21 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 2V

额定功率Max 54 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 54 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFG410W,135引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BFG410W,135

型号	制造商	描述	购买
BFG410W,135	NXP 恩智浦	Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R	搜索库存