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BFU730LXZ
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, 205 hFE

Compared to other transistors, the RF bi-polar junction transistor, developed by Semiconductors, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006


立创商城:
NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, 205 hFE


艾睿:
Compared to other transistors, the BFU730LXZ RF bi-polar junction transistor, developed by NXP Semiconductors, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 3V 0.03A 3-Pin SOT-883C T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3


BFU730LXZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 160 mW

输入电容 0.31 pF

输出功率 11.7 dBm

击穿电压集电极-发射极 3 V

增益 15.8 dB

最小电流放大倍数hFE 205 @2mA, 3V

额定功率Max 160 mW

直流电流增益hFE 205

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 160 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

封装 SOT-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU730LXZ引脚图与封装图
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在线购买BFU730LXZ
型号 制造商 描述 购买
BFU730LXZ NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, 205 hFE 搜索库存