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BFU520AR
NXP(恩智浦) 分立器件

BFU520 系列 12 V 30 mA 10 GHz 19 dB 双 NPN RF 晶体管 - SOT363-6

Look no further than the RF bi-polar junction transistor, developed by Semiconductors, which can offer high radio frequency power compatibility. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


立创商城:
BFU520AR


得捷:
RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


RfMW:
RF Transistor, NPN, 2 GHz, 12 V, Silicon, SOT23


BFU520AR中文资料参数规格
技术参数

频率 10000 MHz

针脚数 3

耗散功率 450 mW

输入电容 0.64 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 18 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU520AR引脚图与封装图
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在线购买BFU520AR
型号 制造商 描述 购买
BFU520AR NXP 恩智浦 BFU520 系列 12 V 30 mA 10 GHz 19 dB 双 NPN RF 晶体管 - SOT363-6 搜索库存
替代型号BFU520AR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFU520AR

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3 450mW

当前型号

BFU520 系列 12 V 30 mA 10 GHz 19 dB 双 NPN RF 晶体管 - SOT363-6

当前型号

型号: BFT92,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 PNP 300mW

类似代替

NXP  BFT92,215  射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷

BFU520AR和BFT92,215的区别

型号: BFT25A,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 32mW

类似代替

NXP  BFT25A,215.  射频宽带晶体管, NPN, 5V, 5GHZ, 3-SOT-23

BFU520AR和BFT25A,215的区别

型号: BFS17,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 0.3W

类似代替

晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

BFU520AR和BFS17,215的区别