BC557BTAR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC557BTAR中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC557BTAR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC557BTAR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC557BTAR | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号BC557BTAR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC560BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92-3 PNP | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | BC557BTAR和BC560BU的区别 |
| 型号： BC560BBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | BC557BTAR和BC560BBU的区别 |