BC847SH6433XTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BC847SH6433XTMA1中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC847SH6433XTMA1引脚图与封装图
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在线购买BC847SH6433XTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847SH6433XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BC847SH6433XTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847SH6433XTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 6-VSSOP NPN 250mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BC847SH6327XTSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL NPN 250mW | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BC847SH6433XTMA1和BC847SH6327XTSA1的区别 |