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BFU550WF
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE

RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3


得捷:
BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R


立创商城:
BFU550WF


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-323 T/R


BFU550WF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 450 mW

输入电容 1 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @15mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU550WF引脚图与封装图
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在线购买BFU550WF
型号 制造商 描述 购买
BFU550WF NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE 搜索库存