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BZV55-B22,135

BZV55-B22,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BZV55-B22,135中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 22 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-80

外形尺寸

封装 SOD-80

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

温度系数 17.6 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZV55-B22,135引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BZV55-B22,135 NXP 恩智浦 Mini-MELF 22V 0.5W1/2W 搜索库存
替代型号BZV55-B22,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZV55-B22,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOD80

当前型号

Mini-MELF 22V 0.5W1/2W

当前型号

型号: TZMB22-GS08

品牌: 威世

封装: SOD-80

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500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 SMT 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

BZV55-B22,135和TZMB22-GS08的区别

型号: BZV55-B22,115

品牌: 恩智浦

封装: Mini-MELF

功能相似

Mini-MELF 22V 0.5W1/2W

BZV55-B22,135和BZV55-B22,115的区别