BFP 182 E7764

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 4Pin 3+Tab SOT-143 T/R

RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT143-4

得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4

贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTORS

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 4-Pin 3+Tab SOT-143 T/R

BFP 182 E7764中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 35.0 mA

耗散功率 250 mW

增益频宽积 8000 MHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 22 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V

最大电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFP 182 E7764引脚图与封装图

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