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BFU530XAR
NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-143B T/R

The RF amplifier from Semiconductors is the perfect solution to implement in a circuit utilizing high power radio frequencies. This RF transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B


艾睿:
Trans GP BJT NPN 16V 0.065A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.04A 4-Pin SOT-143B T/R


BFU530XAR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 450 mW

输入电容 0.93 pF

增益频宽积 11 GHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 22 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 8V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 450 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFU530XAR引脚图与封装图
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BFU530XAR NXP 恩智浦 Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-143B T/R 搜索库存