BFP 520 H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP 520 H6327中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.125 W
耗散功率 125 mW
输入电容 0.33 pF
最小电流放大倍数hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFP 520 H6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP 520 H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans GP BJT NPN 2.5V 0.04A 4Pin3+Tab SOT-343 T/R | 搜索库存 |