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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

BFU725 系列 2.8 V 18 dB 增益 NPN 硅锗 射频 晶体管 - SOT-343F-4

RF NPN 2.8V 40mA 55GHz 136mW 表面贴装型 4-SO


得捷:
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO


立创商城:
NPN 2.8V 25mA


艾睿:
Superior characteristics of this BFU725F/N1,115 RF amplifier from NXP Semiconductors make it perfect for operating at higher RF frequency ranges than RF MOSFETS. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 2.8V 0.04A 4-Pin3+Tab SO T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 2.8V 0.04A 4-Pin3+Tab SO T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R


RfMW:
Transistor, LNA, NPN Wideband, SiGe, SOT343F


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 40MA SOT343


Win Source:
TRANSISTOR NPN 40MA SOT343


BFU725F/N1,115中文资料参数规格
技术参数

频率 55000 MHz

额定功率 136 mW

针脚数 4

耗散功率 136 mW

输入电容 0.4 pF

输出功率 9 dBm

击穿电压集电极-发射极 2.8 V

增益 10dB ~ 24dB

最小电流放大倍数hFE 160 @10mA, 2V

额定功率Max 136 mW

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 136 mW

电源电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU725F/N1,115引脚图与封装图
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在线购买BFU725F/N1,115
型号 制造商 描述 购买
BFU725F/N1,115 NXP 恩智浦 BFU725 系列 2.8 V 18 dB 增益 NPN 硅锗 射频 晶体管 - SOT-343F-4 搜索库存