BFG540W,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFG540W,115中文资料参数规格
技术参数
频率 9000 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
输入电容 2 pF
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 100 @40mA, 8V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFG540W,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BFG540W,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG540W,115 | NXP 恩智浦 | Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 0.5W1/2W 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号BFG540W,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFG540W,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-343 NPN 500mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 0.5W1/2W 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： BFG540W 品牌： 恩智浦 封装： SOT-343 | 类似代替 | NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | BFG540W,115和BFG540W的区别 |
| 型号： BFG540WT/R 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | Transistor | BFG540W,115和BFG540WT/R的区别 |