BFG480W,135
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFG480W,135中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 mW
击穿电压集电极-发射极 4.5 V
增益 16 dB
最小电流放大倍数hFE 40 @80mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFG480W,135引脚图与封装图
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在线购买BFG480W,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFG480W,135 | NXP 恩智浦 | 射频RF双极晶体管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz | 搜索库存 |
替代型号BFG480W,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFG480W,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-82A 360mW | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz | 当前型号 |
| 型号： BFG480W,115 品牌： 恩智浦 封装： CMPAK NPN 360mW | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R | BFG480W,135和BFG480W,115的区别 |